封装用铝基板绝缘层
采用硬质阳极氧化工艺制备LED封装用铝基板绝缘层，通过实验分析了制备铝基板过程中氧化时间、草酸浓度、硫酸浓度和电流密度等因素对其氧化膜厚度、击穿电压的影响，得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数:电流密度3A/dm2，草酸浓度为10g/L，H2SO4浓度150g/L，氧化时间45min。利用原子力显微镜(AFM)观察热冲击后裂纹萌生的情况，结果表明铝基板有微小裂纹，但仍满足绝缘要求，通过对氧化铝膜热阻的测试发现，铝基板与氧化膜的复合热阻在1～3℃/W之间。结果表明用阳极氧化法制备的铝氧化膜满足LED基板对散热及绝缘性的要求。
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